貼片電容作為主要可以分為NPO電容；X7R電容；Z5U電容和Y5V電容。村田代理商在相同的體積下由于填充介質(zhì)不同所組成的電容器的容量就不同，隨之帶來的電容器的介質(zhì)損耗、容量穩(wěn)定性等也就不同。所以在使用電容器時應(yīng)根據(jù)電容器在電路中作用不同來選用不同的電容器。它們的區(qū)別是：NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要區(qū)別是分析它們的填充工作介質(zhì)進(jìn)行不同。在相同的體積下由于數(shù)據(jù)填充材料介質(zhì)具有不同所組成的電容的容量就不同，隨之發(fā)展帶來的電容的介質(zhì)傳播損耗、容量以及穩(wěn)定性等也就導(dǎo)致不同。

貼片電容材料種類——NPO電容

NPO是一種最常用的具有一定溫度進(jìn)行補(bǔ)償功能特性的單片陶瓷電容。它的填充介質(zhì)是由銣、釤和一些企業(yè)其它稀有金屬氧化物主要組成的。

NPO電容是電容量和介質(zhì)材料損耗最穩(wěn)定的電容技術(shù)之一。在溫度從-55℃到 125℃時容量變化為0±30ppm/℃，電容量隨頻率的變化影響小于±0.3ΔC。NPO電容的漂移或滯后時間小于±0.05%，相對價值大于±2%的薄膜進(jìn)行電容來說是我們可以忽略企業(yè)不計的。其典型的容量發(fā)展相對合理使用網(wǎng)絡(luò)壽命的變化明顯小于±0.1%。NPO電容隨封裝結(jié)構(gòu)形式存在不同其電容量和介質(zhì)傳播損耗隨頻率不斷變化的特性也不同，大封裝設(shè)計尺寸的要比小封裝以及尺寸的頻率相關(guān)特性好。下表給出了NPO電容可選取的容量研究范圍。

封裝 DC=50V DC=100V

0805 0.5---1000pF 0.5---820pF

1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF

1210 560---5600pF 560---2700pF

2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μF

NPO 電容適用于振蕩器、諧振器和高頻電路中的耦合電容中的縫隙電容。

貼片電容種類——X7R電容

X7R電容可以被稱為環(huán)境溫度穩(wěn)定型的陶瓷電容。當(dāng)溫度在-55℃到 125℃時其容量變化為15%，需要我們注意的是此時電容市場容量不斷變化發(fā)展是非進(jìn)行線性的。

X7R電容的容量在不同的電壓和頻率條件下是不同的，它也隨時間的變化而變化，大約每10年變化1%ΔC，表現(xiàn)為10年變化了約5%。

X7R 電容主要用于要求較低的工業(yè)應(yīng)用，當(dāng)電壓變化時，它們的容量變化是可以接受的。它的主要特點(diǎn)是在相同體積下可以使電容變大。下表顯示了 X7R 電容的可選容量范圍。

封 裝 DC=50V DC=100V

0805 330pF---0.056μF 330pF---0.012μF

1206 1000pF---0.15μF 1000pF---0.047μF

1210 1000pF---0.22μF 1000pF---0.1μF

2225 0.01μF---1μF 0.01μF---0.56μF

貼片電容 -Z5U 型電容

Z5U 電容被稱為“通用”陶瓷單片電容。這里首先要考慮的是使用溫度范圍，因為 Z5U 電容的主要特點(diǎn)是體積小、成本低。對于上述三種陶瓷單片電容，Z5U 電容在相同體積下具有最大的電容。