這兩個(gè)電容叫晶振的負(fù)載電容，分別接在晶振的兩個(gè)腳上和對(duì)地的電容，一般在幾十皮發(fā)。MURATA代理商一種最常用的具有溫度補(bǔ)償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質(zhì)是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。村田代理商在相同的體積下由于填充介質(zhì)不同所組成的電容器的容量就不同，隨之帶來的電容器的介質(zhì)損耗、容量穩(wěn)定性等也就不同。所以在使用電容器時(shí)應(yīng)根據(jù)電容器在電路中作用不同來選用不同的電容器。貼片電容可分為無極性和有極性兩類，無極性電容下述兩類封裝最為常見，即0805、0603；而有極性電容也就是我們平時(shí)所稱的電解電容，一般我們平時(shí)用的最多的為鋁電解電容，由于其電解質(zhì)為鋁，所以其溫度穩(wěn)定性以及精度都不是很高，而貼片元件由于其緊貼電路版，所以要求溫度穩(wěn)定性要高。它會(huì)影響到晶振的諧振頻率和輸出幅度，一般訂購晶振時(shí)候供貨方會(huì)問你負(fù)載電容是多少。

在公式 CD 中，晶體振蕩器的負(fù)載電容 = [(CD * CG)/(CD + CG)] + cIC + △ c，CG 是分別連接到晶體振蕩器兩支和接地的電容，而 cIC (集成電路的內(nèi)部電容) + △ c (印刷電路板上的電容)的經(jīng)驗(yàn)值為3至5 pf。

各種邏輯貼片的晶體管腳可以等效為電容三點(diǎn)式振蕩器。晶針內(nèi)部通常是一個(gè)反相器，或者是奇數(shù)個(gè)反相器串聯(lián)。電阻器連接在晶體振蕩器輸出引腳XO和晶體振蕩器輸入引腳XI之間。對(duì)于CMOS貼片，通常在幾m到幾十m歐姆之間。許多貼片的引腳內(nèi)已經(jīng)包含此電阻，因此沒有必要將其連接到引腳外。該電阻用于在振蕩開始時(shí)使逆變器保持線性狀態(tài)。逆變器就像一個(gè)增益很大的放大器，方便振蕩。應(yīng)時(shí)晶體也連接在晶體振蕩器引腳的輸入和輸出之間，這相當(dāng)于一個(gè)并聯(lián)諧振電路。振蕩頻率應(yīng)該是應(yīng)時(shí)晶體的并聯(lián)諧振頻率。晶體旁邊的兩個(gè)電容接地，其實(shí)就是電容三點(diǎn)式電路的分壓電容。接地點(diǎn)是分壓點(diǎn)。以接地點(diǎn)為參考點(diǎn)，振蕩管腳的輸入和輸出相位相反，但從并聯(lián)諧振電路的角度，即應(yīng)時(shí)晶體的兩端，形成正反饋，保證電路的連續(xù)振蕩。在貼片設(shè)計(jì)的時(shí)候，這兩個(gè)電容就已經(jīng)成型了，通常兩個(gè)電容的容量是相等的，容量會(huì)根據(jù)工藝和版圖的不同而不同，但還是比較小的。它可能不適用于較寬的頻率范圍。外部連接時(shí)，大約為幾皮法到幾十皮法，取決于頻率和應(yīng)時(shí)晶體的特性。需要注意的是，串聯(lián)的兩個(gè)電容的值并聯(lián)在諧振電路上，會(huì)影響振蕩頻率。當(dāng)兩個(gè)電容相等時(shí)，反饋系數(shù)為0.5，一般可以滿足振蕩條件。但如果振蕩不易啟動(dòng)或不穩(wěn)定，可以減小輸入端對(duì)地電容，增大輸出端的值，增加反饋量。